[HBN뉴스 = 이동훈 기자] 삼성전자는 19일까지 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에서 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 기술인 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 처음 공개했다고 밝혔다. HBM4E 칩에는 4나노 기반 베이스 다이를 적용했다.
삼성전자는 이 행사에서 HBM4 기반 차세대 메모리 기술과 함께 AI 데이터센터용 메모리·스토리지 제품 그리고 1c D램 공정도 함께 선보였다.
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| 삼성전자의 HBM4 제품 [사진=삼성전자] |
이에 따르면 HBM4E는 핀당 최대 16Gbps 속도와 약 4.0TB/s 대역폭을 지원하는 것이 특징이다. 삼성전자는 메모리 설계, 파운드리 공정, 첨단 패키징을 결합한 방식으로 HBM4E를 개발하고 있다.
패키징 기술도 함께 공개됐다. 삼성전자는 기존 TCB(Thermal Compression Bonding) 방식 대비 열 저항을 20% 이상 낮추고 16단 이상 적층을 지원하는 HCB(Hybrid Copper Bonding) 기술을 영상 형태로 소개했다.
삼성전자는 전시장 내에 '엔비디아 갤러리'를 별도로 구성하고, 차세대 AI 플랫폼인 NVIDIA Vera Rubin 시스템과 이에 적용되는 메모리 제품을 함께 전시했다.
구체적으로 ▲Rubin GPU용 HBM4 ▲Vera CPU용 SOCAMM2 ▲PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763 등이 포함됐다.
SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로, 삼성전자는 해당 제품의 품질 검증을 완료하고 양산 출하를 시작했다고 전했다.
PM1763 SSD는 Vera Rubin 플랫폼의 스토리지 제품으로, 삼성전자는 전시장 서버를 통해 GPU가 스토리지 I/O를 직접 제어하는 SCADA(Scaled Accelerated Data Access) 기반 AI 워크로드 시연을 진행했다.
이와 함께 삼성전자는 추론 작업에서 생성되는 KV Cache 데이터를 스토리지로 확장하는 CMX(Context Memory eXtension) 플랫폼용 제품으로 PCIe Gen5 기반 서버용 SSD PM1753 공급 계획도 공개했다.
전시 부스는 ▲AI Factories(AI 데이터센터) ▲Local AI(온디바이스 AI) ▲Physical AI 등 세 개의 영역으로 구성됐으며, 이 공간에서는 GDDR7, LPDDR6, PM9E1 등 차세대 메모리 제품도 함께 소개됐다.
행사 둘째 날인 17일에는 엔비디아 초청으로 삼성전자 AI센터장인 송용호가 발표를 진행할 예정이다. 발표에서는 차세대 AI 시스템 구조와 이를 지원하는 메모리 기술 방향이 다뤄질 예정이다.
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