[HBN뉴스 = 이동훈 기자] SK하이닉스가 차세대 AI용 초고성능 D램 제품인 ‘HBM4E’ 12단 샘플을 주요 고객사에 공급했다.
SK하이닉스는 18일 이 같은 사실을 밝히고, 핵심 고객사들과 협업해 적기 양산을 추진하겠다고 강조했다. SK하이닉스에 따르면 HBM4E는 이전 세대인 HBM4보다 성능과 전력 효율을 개선한 제품이다.
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| SK하이닉스의 차세대 AI 메모리 HBM4E 12단 샘플. [사진=SK하이닉스] |
SK하이닉스는 이번 제품은 핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현했고, 에너지 효율은 HBM4 대비 20% 이상 개선됐다고 설명했다.
용량은 12단 적층 기준 48GB다. SK하이닉스는 최신 인터페이스와 설계 최적화를 통해 데이터 전송 지연을 줄이고, 고대역폭 환경에서 안정적인 동작을 구현했다고 덧붙였다.
공정에는 어드밴스드 MR-MUF가 적용됐다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓은 뒤 칩 사이 공간에 보호재를 주입해 회로를 보호하는 공정이다. SK하이닉스는 해당 공정을 통해 HBM4 대비 열 저항을 약 17% 낮췄다고 밝혔다.
이번 샘플 공급은 SK하이닉스가 HBM3, HBM3E, HBM4에 이어 차세대 제품군으로 고객 대응 범위를 넓히는 흐름으로 해석된다. HBM 시장 경쟁이 고성능 제품의 선행 개발과 고객사 검증 속도로 옮겨가고 있는 만큼, 향후 양산 일정과 공급 안정성이 주요 변수가 될 전망이다.
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