엔비디아, 9만 전자 돌파 열쇠
평택 신라인, 시장 패권 좌우
[HBN뉴스 = 이동훈 기자] 삼성전자가 2025년 4분기부터 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 메모리 양산에 돌입하며 이번에는 ‘9만 전자’ 고지를 이번엔 넘어설지 관심을 모은다. 엔비디아와 공급 계약, 평택 신라인(P5) 가동 시점이 주가 흐름을 결정할 핵심 변수로 떠오르고 있다.
29일 증권가에서는 삼성전자의 주가가 9만 원대를 돌파할 것이라는 전망이 적지 않다. KB증권, 키움증권, IBK투자증권 등 주요 증권사는 삼성전자의 목표주가를 9만 원으로 제시했다.
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| 이재용 삼성전자 회장이 지난 25일(현지시간) 열린 한미 비즈니스 라운드 테이블에서 젠슨황 엔비디아 최고경영자와 반가움을 나누고 있다. [사진=연합뉴스] |
주요 근거는 1c nm 기반 HBM4(고대역폭 메모리) 개발 속도, 2026년 시장 점유율 확대 가능성, 반도체 실적 턴어라운드 모멘텀이다.
특히 삼성전자는 최근 HBM4 내부 양산 승인(PRA) 절차를 통과하며 올 4분기부터 초기 생산에 돌입할 것으로 전망된다. 2026년부터 엔비디아를 포함한 주요 AI 반도체 고객사 대상 공급이 본격화될 가능성이 커졌다는 분석이다.
김동원 KB증권 연구원은 “(삼성전자의 내년 실적은) 매출 328조원 (+3% YoY), 영업이익 41조원 (+40% YoY, OPM 12.6%), 반도체 영업이익은 전년 대비 2배 이상 증가된 21.6조원 (+109% YoY)”으로 추정했다.
HBM4는 현존 HBM3 대비 데이터 전송속도를 2배 이상 높이고, 전력 소모는 30% 절감하는 차세대 AI D램으로 꼽힌다.
시장은 삼성전자가 연말까지 안정적으로 공급 능력을 확보하면, 2026년 2분기부터 삼성의 HBM4가 엔비디아 차세대 AI GPU에 적용될 것으로 예상한다.
이를 위해 삼성전자는 평택에 이어 화성 팹에도 1c D램(6세대 10나노급 D램)의 양산 라인 구축 계획을 세운 것으로 알려졌다. 1c D램은 삼성전자 ‘HBM4’에 적용될 핵심 제품이다. 주요 경쟁사들은 HBM4에 1b D램을 채택하고 있다. 1c D램은 높은 기술적 난이도로 제품의 수율이 저하된다는 한계점을 지니고 있지만, HBM 성능의 핵심 요소인 코어 다이(Core Die)의 성능을 대폭 끌어올릴 수 있다는 장점을 갖고 있다.
삼성전자는 1c D램의 칩 사이즈를 초안 대비 키우는 방식으로 안정성을 보완하고 있다.
업계 관계자는 “삼성전자의 9만 전자 재도전은 단순한 실적 반등이 아니라 AI 메모리 공급망 패권 경쟁과 맞물린다”라며 “올 4분기 HBM4 양산, 2026년 평택 신라인 가동, 엔비디아 공급 계약이라는 세 가지 이벤트에서 판가름 날 것”이라고 말했다.
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