SK하이닉스, "공급자에서 창조자로"...새 비전 '풀 스택 AI 크리에이터' 제시

이동훈 기자 / 2025-11-03 15:06:50
곽노정 사장, 'SK AI 서밋 2025'서 커스텀 HBM, AI D램·낸드 등 라인업 공개

[HBN뉴스 = 이동훈 기자] SK하이닉스가 AI 메모리 생태계를 선도하기 위한 새로운 기업 비전을 공개했다.


곽노정 대표이사 사장(CEO)은 3일 서울 코엑스에서 열린 ‘SK AI 서밋 2025’ 기조연설에서 “AI 시대, SK하이닉스가 그리는 새로운 비전과 기술”을 주제로 발표하며, ‘풀 스택 AI 메모리 크리에이터(Full Stack AI Memory Creator)’를 회사의 새 비전으로 제시했다.

곽 사장은 “지금까지 SK하이닉스는 고객이 원하는 제품을 적시에 공급하는 ‘풀 스택 AI 메모리 프로바이더(Provider)’ 역할을 해왔다”며 “앞으로는 고객의 문제를 함께 해결하며 생태계와 협력해 기대 이상의 가치를 제공하는 크리에이터로 거듭나겠다”고 밝혔다. 


곽 사장은 “AI 시대에는 단순한 부품 공급을 넘어 고객 및 파트너와 함께 기술을 공동 설계하고 생태계를 발전시키는 기업이 성공할 것”이라며, SK하이닉스가 ‘Co-Architect(공동 설계자)’, ‘Partner(협력자)’, ‘Eco-Contributor(생태계 기여자)’로서 AI 메모리 생태계 전반을 주도하겠다는 의지를 강조했다.

◆ ‘커스텀 HBM·AI D램·AI 낸드’ 풀 스택 AI 라인업 공개

SK하이닉스는 이번 서밋에서 ‘풀 스택 AI 메모리’ 라인업을 함께 공개했다. 커스텀 HBM은 GPU·ASIC의 일부 기능을 HBM 베이스 다이로 옮겨 전력 효율과 시스템 성능을 극대화한 제품으로, 고객 맞춤형 설계가 핵심이다.

AI D램(AI-D)은 세 가지 세부 라인으로 구성된다. ‘AI-D O(Optimization)’은 저전력·고성능 데이터센터용 메모리로 MRDIMM, SOCAMM2, LPDDR5R 등이 포함된다.

‘AI-D B(Breakthrough)’는 메모리 월(Memory Wall)을 극복하기 위한 초고용량·연산통합형 제품군으로 CMM, PIM 솔루션이 대표적이다. ‘AI-D E(Expansion)’은 로보틱스, 모빌리티 등 비데이터센터용 AI 응용분야로의 확장형 솔루션이다.

AI 낸드(AI-N)는 고성능·고대역폭·고밀도를 각각 추구하는 세 가지 방향으로 개발 중이다.

‘AI-N P(Performance)’는 대규모 AI 추론 환경에서 데이터 입출력을 최적화한 낸드, ‘AI-N B(Bandwidth)’는 낸드 적층 구조로 대역폭을 확대한 모델, ‘AI-N D(Density)’는 PB급 초고용량 스토리지를 목표로 하는 차세대 솔루션이다.

◆ “협업이 곧 경쟁력”…엔비디아·오픈AI·TSMC 등과 연합

곽 사장은 “AI 시대에는 혼자만의 역량으로는 한계가 있다”며, 글로벌 파트너와의 협업을 강조했다.

SK하이닉스는 엔비디아와 HBM 협력은 물론, 옴니버스(Omniverse)·디지털 트윈(Digital Twin) 기반 AI 제조 혁신, 오픈AI와의 고성능 메모리 공급 협력, TSMC와의 차세대 HBM 베이스 다이 공동개발, 샌디스크와의 HBF(High Bandwidth Flash) 표준화, 네이버클라우드와의 AI 메모리·스토리지 최적화 협력을 진행 중이다.

◆ 청주·용인 ‘미래 생산 거점’ 선제 투자

SK하이닉스는 ‘풀 스택 AI 메모리 크리에이터’ 비전을 뒷받침할 미래 생산 거점 구축에도 속도를 내고 있다. 지난달 청주 M15X 클린룸을 조기 오픈하고 장비 반입을 시작했으며, 내년 상반기 HBM 양산에 투입될 예정이다. 또한 경기도 용인 반도체 클러스터 내 용인 1기 팹 건설도 순조롭게 진행 중이다. 용적률 상향(350%→490%)으로 클린룸 확장이 가능해져 HBM 수요 대응력을 높일 전망이다.

◆ HBM 기술력 ‘1위 굳히기’...HBM4 양산 본격화

SK하이닉스는 세계 최초 HBM 개발사로, HBM3·HBM3E를 잇는 HBM4 양산 체제를 지난 9월 구축했다. 11Gbps를 초과하는 최고 속도를 구현했으며, 4분기부터 출하를 시작해 내년 본격 판매에 나선다.

현재 HBM2E부터 HBM3E까지 모든 세대에서 업계 최고 속도·용량 제품을 세계 최초로 양산해왔으며, 엔비디아 ‘H100’ 공급 경험을 비롯해 주요 GPU·ASIC 고객들과 협력 중이다.

HBM3E 12단 적층 제품에는 독자 공정인 어드밴스드 MR-MUF를 적용해 방열과 휨 제어 성능을 대폭 개선했다. 회사는 “HBM 시장의 리더십을 지속 강화하겠다”고 밝혔다.

곽 사장은 “AI 시대의 성공은 협업과 고객 만족에서 나온다”며 “SK하이닉스는 최고의 파트너들과 함께 풀 스택 AI 메모리 생태계를 창조하며 미래를 개척해 나가겠다”고 밝혔다.

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