[하비엔=윤대헌 기자] 웨이비스는 지난 11일 비투지와 차세대 RF 소자 및 전력반도체 소자로 각광받고 있는 GaN 반도체 관련 기술 개발과 사업화를 위해 상호 협력하기로 합의했다고 15일 밝혔다.
GaN 반도체 소자는 RF 소자 및 전력반도체 분야에서 기존 실리콘(Si) 반도체 소자를 대체하는 차세대 반도체다. 특히 낮은 온(ON)-저항 및 기존 실리콘 반도체에 비해 수 백배 빠른 스위칭 성능을 갖춰 높은 전력변환 효율과 빠른 주파수 특성 구현이 가능하고, 소형화가 가능한 것이 장점이다.
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| ▲ 지난 11일 웨이비스와 비투지는 GaN 반도체 관련 기술 개발과 사업화를 위해 상호 협력하기로 합의했다. [사진=웨이비스] |
GaN 반도체 소자 관련 기술 개발과 상용화는 국내의 경우 웨이비스를 중심으로 진행돼 왔고, 소재 분야인 에피-웨이퍼 부분은 그동안 해외 수입에 전량 의존했다.
이에 비투지는 ETRI와의 오랜 기술 협력을 통해 RF 소자 및 전력 반도체에 적용 가능한 에피 소재 개발에 성공했다. 따라서 이번 업무 협약을 통해 비투지는 웨이비스의 소자 설계 및 제작 기술과 결합, 국내에서 GaN 에피 소재에서 소자에 이르는 전 가치 사슬(value chain) 구성이 가능해졌다.
또 RF 및 전력용 GaN 반도체 소자를 생산할 수 있는 파운드리를 보유한 유일한 국내 기업인 웨이비스는 이번 협약을 통해 소재의 국산화는 물론 안정된 수급과 높은 단가 문제를 해결함에 따라 향후 시장 확장을 위한 경쟁력을 갖추게 됐다.
신정훈 비투지 대표는 “이번 양사의 협력은 단순 공급자와 수요자간 계약이 아닌 향후 급변할 것으로 예상되는 GaN 반도체 시장에서 각자의 장점을 극대화해 글로벌 강자로 거듭날 수 있는 계기가 될 것이다”라고 말했다.
한편 비투지는 GaN 반도체 기판과 에피 공정을 위한 생산시설 조성을 위해 부산 기장군 전력반도체 클러스터에 부지를 확보, 오는 2023년 완공을 목표로 하고 있다.
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